非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种镀膜装置，具体涉及一种非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置。本实用新型的技术方案如下：非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置，在离子镀膜的镀膜腔室中，镀膜靶源对向基片台，镀膜腔室中设有辅助靶源和遮挡板，所述遮挡板设置在镀膜靶源与辅助靶源之间，所述遮挡板将辅助靶源的工作区域与镀膜靶源及基片台的工作区域予以隔离。本实用新型提供的非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置，能够实现在非超高真空环境条件下低氧含量易氧化薄膜的制备，镀膜工艺中的本底真空度条件较为宽松，制成薄膜含氧量显著降低，适合在大型工业化镀膜生产线上应用。
基本信息
专利标题 ：
非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020057782.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-13
授权号 ：
CN211256073U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
田广科田世宇张海军
申请人 ：
兰州广合新材料科技有限公司;兰州交通大学
申请人地址 ：
甘肃省兰州市城关区东岗西路249号217-11室
代理机构 ：
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
任凯
优先权 ：
CN202020057782.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/32 C23C14/16 C23C14/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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