一种新型光学镀膜用真空腔体
授权
摘要
本实用新型属于真空镀膜技术领域,尤其为一种新型光学镀膜用真空腔体,包括真空腔主体,所述真空腔主体的内侧壁通过转轴转动连接有隔板,所述隔板的底部通过转轴转动连接有伸缩套筒,所述伸缩套筒的端部通过转轴与真空腔主体的内侧壁转动连接,所述伸缩套筒的表面套接有支撑弹簧,所述真空腔主体的内壁安装有温度传感器和控制器。本实用新型通过设置的隔板、伸缩套筒、支撑弹簧、温度传感器和控制器之间的配合使得真空腔主体内的温度没有达到镀膜要求的时候不对材料进行镀膜工作,避免了在进行镀膜的时候,如果温度还未达到标准就将镀膜材料放置其中进行镀膜,导致镀膜效果未达到要求,影响后续的使用。
基本信息
专利标题 :
一种新型光学镀膜用真空腔体
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020111488.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-17
授权号 :
CN211471544U
授权日 :
2020-09-11
发明人 :
杨玉飞
申请人 :
江阴慕达斯真空设备有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市江阴市城东街道山观澄山路697号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202020111488.6
主分类号 :
C23C14/54
IPC分类号 :
C23C14/54 C23C14/24 C23C14/50
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/54
镀覆工艺的控制或调节
法律状态
2020-09-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211471544U.PDF
PDF下载