一种测量功率器件C-V曲线的测量电路

授权

摘要

本实用新型提供了一种测量功率器件C‑V曲线的测量电路，包括IGBT的三个端子，所述三个端子分别为集电极C、发射极E、门极G，所述集电极C和所述门极G之间的寄生电容为Cgc，所述发射极E和所述门极G之间的寄生电容为Cge，所述集电极C和所述发射极E之间的寄生电容为Cce；测量电路简洁易懂，有完善的保护电路，可以精确测量功率器件上的寄生电容关于直流偏置电压的C‑V曲线，且所用的仪器设备相比较更为便宜。并且适用于测量高压偏置下的电容值。本实用新型不需要昂贵的测量仪器，仅需要阻抗分析仪或者RLC电桥即可测量。无源电路设计简单，并且设计有完善的保护电路，将高压和交流信号分开，并能够保护仪器的功率器件，适用于高压测试场合。

基本信息

专利标题：

一种测量功率器件C-V曲线的测量电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020122541.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-19

授权号：

CN212060434U

授权日：

2020-12-01

发明人：

杨鑫丁毅飞王紫茹王俊

申请人：

湖南大学

申请人地址：

湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号

代理机构：

北京精金石知识产权代理有限公司

代理人：

肖乐愈秋

优先权：

CN202020122541.2

主分类号：

G01R27/26

IPC分类号：

G01R27/26 G01R27/02 G01R31/00 G01R15/14