一种快速电荷转移的像素版图结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种快速电荷转移的像素版图结构，包括光电二极管PD和传输栅TG，所述光电二极管PD的一侧边中部放置传输栅TG；所述光电二极管PD的四个侧边处根据距离传输栅TG的距离不同，增加若干个不同P型离子注入浓度的P型注入区，远距离放置高浓度的P型注入区，近距离放置低浓度的P型注入区。本实用新型实现了在大尺寸像素情况下边缘电荷具有较高的转移效率，避免了传统像素中电荷转移不完全导致的拖尾问题；同时避免了版图形状调整带来的填充因子降低问题。
基本信息
专利标题 ：
一种快速电荷转移的像素版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020143990.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-22
授权号 ：
CN211789016U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
高志远顾天宇
申请人 ：
天津海芯微电子技术有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区高新区华苑产业区海泰西路18号北2-102工业孵化-5
代理机构 ：
天津企兴智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
马倩倩
优先权 ：
CN202020143990.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L27/02
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法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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