一种p型碳化硅欧姆金属结构和晶体管
授权
摘要
本实用新型提供了一种p型碳化硅欧姆金属结构和晶体管，涉及半导体技术领域。p型碳化硅欧姆金属结构包括p型碳化硅半导体和在所述p型碳化硅半导体上依次设有镍层、钛层和铝层。p型碳化硅欧姆金属结构在高温退火后，并不会降低n型与p型中一者的接触性能。
基本信息
专利标题 ：
一种p型碳化硅欧姆金属结构和晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020253980.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-04
授权号 ：
CN212625591U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
杨程林科闯陶永洪
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
北京超成律师事务所
代理人 ：
郭俊霞
优先权 ：
CN202020253980.7
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L29/12 H01L29/78
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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