本申请涉及一种功率晶体管及电子设备，其中功率晶体管至少包括衬底、缓冲层以及势垒层；以及位于所述势垒层以上的栅极、源极和漏极；其中，在所述栅极下方和所述源极、漏极之间的导电沟道中设有一个或多个绝缘的隔离结构。本申请还涉及包括该种功率晶体管的电子设备。本申请将隔离结构设置在功率晶体管的导电沟道中，通过减少散热较差部分导电路径，优化了导电路径，使得功率晶体管整体的温度分布更加均匀，减少热点产生的可能性，提高功率晶体管的工作稳定性。