晶体管及电子设备
公开
摘要
提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极地配置的层间绝缘膜、以及氧化物半导体膜上的栅电极，其中层间绝缘膜以与源电极与漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，源电极及漏电极具有压缩应力。
基本信息
专利标题 ：
晶体管及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616677A
申请号 ：
CN202080075441.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山崎舜平神保安弘金川朋贤
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
宋俊寅
优先权 ：
CN202080075441.1
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/45 H01L29/24 H01L29/78 H01L29/786 H01L21/34
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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