一种功率晶体管及电子设备
授权
摘要
本申请涉及一种功率晶体管，包括绝缘衬底；位于所述绝缘衬底上方的带有开口的绝缘介质层；从所述介质层开口区域外延生长形成的第一半导体层；位于所述第一半导体层以上的沟道缓冲层；位于所述沟道缓冲层以上的势垒层；位于所述势垒层上方的栅极、源极、和漏极；其中位于所述源极下方的所述第一半导体层的部分区域经掺杂形成导电场板，所述场板与所述源极通过电连接结构耦合，并且所述场板的侧边沿位于与其同侧相邻的栅极侧边沿和与其同侧相邻的漏极侧边沿之间。本申请还提供了相关的电子设备。
基本信息
专利标题 ：
一种功率晶体管及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122776448.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-06
授权号 ：
CN216413092U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
夏令
申请人 ：
顶诺微电子（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南大街5号二区683栋20层17
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122776448.0
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
