电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：提供基板；在所述基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置形成容纳空间；在所述容纳空间内形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述基板的一侧形成连接于所述源极和所述漏极的有源层。本申请提供的制备方法可以克服或者改善有源层变薄甚至断线的问题。
基本信息
专利标题 ：
电子设备、显示屏、薄膜晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496793A
申请号 ：
CN202011267272.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢忠伟金敏澈林俊仪
申请人 ：
深圳柔宇显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坪地街道丁山河路18号柔宇国际柔性显示基地
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202011267272.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/34 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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