一种大电流IGBT芯片结构
授权
摘要
本实用新型提供一种大电流IGBT芯片结构，该芯片结构包括位于芯片外周的截止环区和位于芯片正中的栅极焊线区，在截止环区以内、栅极焊线区以外设有能够进行区域划分以形成多个独立发射极焊线区的栅极总线。本实用新型的大电流IGBT芯片，将大面积长距离的传统栅极走线分布优化为多条栅极总线分支的优化分布，大大提供了栅极开关的一致性和均匀性，从而避免了大电流大面积IGBT芯片在实际应用中的电流集中效应，大幅提高了产品的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种大电流IGBT芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020457303.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN211743164U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
朱旭强
申请人 ：
宜兴杰芯半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴市新街百合工业园新岳路2号
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹慧晶
优先权 ：
CN202020457303.7
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/739
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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