基于磁场耦合的隔离放大器结构
授权
摘要
本实用新型涉及隔离放大器技术领域，具体为一种基于磁场耦合的隔离放大器结构，其能够实现发送端、接收端、耦合器件集成于一个芯片，其包括发送端模块、接收端模块和耦合器件，其特征在于，所述发送端模块包括顺次连接的前置放大器/滤波器、脉冲宽度调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次连接的放大整形电路和低通滤波器，所述耦合器件包括线圈和磁传感器，所述线圈和磁传感器之间设置有绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
基于磁场耦合的隔离放大器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020590909.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-20
授权号 ：
CN211908751U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
黄海滨马辉蒋赛尖
申请人 ：
无锡思泰迪半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区长江路16号
代理机构 ：
无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宁
优先权 ：
CN202020590909.8
主分类号 ：
H03F3/68
IPC分类号 ：
H03F3/68
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法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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