基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构
授权
摘要
本实用新型涉及隔离放大器技术领域，具体为一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构，其能够在有限的耦合带宽限制下获得更高性能的信号放大功能，其包括发送端模块、接收端模块、磁耦合器件，所述发送端模块包括前置放大/滤波模块，其特征在于，所述前置放大/滤波模块顺次连接N比特Delta‑Sigma调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次布置的放大整形电路、并行/串行转换器、低通滤波器，所述磁耦合器件对应设置N+1个，N为正整数。
基本信息
专利标题 ：
基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020592096.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-20
授权号 ：
CN212992288U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
黄海滨蒋赛尖
申请人 ：
无锡思泰迪半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区长江路16号
代理机构 ：
无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宁
优先权 ：
CN202020592096.6
主分类号 ：
H03F1/42
IPC分类号 ：
H03F1/42 H03F1/08 H03F1/26 H03M3/00
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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