一种硅片吸取分离装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片吸取分离装置,包括硅片吸取装置、硅片分片装置和移动硅片吸取装置的移动组件，所述硅片吸取装置设置于移动组件下侧，所述硅片吸取装置用于吸取硅片，所述硅片分片装置用于分离硅片，本实用新型通过采用真空设备对硅片进行吸取，降低了人力成本，提高了工作效率，并在吸盘侧边设置斜槽，对硅片的进入和离开插槽进行导向，避免发生硅片破损，提高了工作质量，本实用新型采用风刀底板和风刀板紧密连接的结构，通过设置扁平的喷腔，增大了气体的压强，从而增大了喷出气体的强度，提高了硅片分片效率。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片吸取分离装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020691535.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-29
授权号 ：
CN211929460U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
丁治祥强嘉杰沈晓琪李亚康
申请人 ：
无锡小强半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202020691535.9
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/68 H01L21/67 C23C16/458
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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