一种具有DBR分层结构的LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有DBR分层结构的LED芯片，包括P电极、PSS衬底、LED外延结构、CBL电流阻挡层、TCL透明导电层、N型半导体台面、N电极、DBR结构；其中：PSS衬底上生长有LED外延结构，LED外延结构上沉积有CBL电流阻挡层，LED外延结构上沉积TCL透明导电层，以MESA图层为掩模对LED外延结构进行等离子干法刻蚀（ICP），形成N型半导体台面，在TCL透明导电层、N型半导体台面上分别制作有P电极、N电极。本实用新型的优点在于：通过对LED芯片的DBR结构进行优化，将DBR结构分为接触层和交替叠层，采用不同的方法制作，改善了DBR结构接触层的反透射率和台阶披覆性，降低了常规方法制作的DBR结构所产生的LED芯片内部应力，从而提高了LED芯片的出光率和使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种具有DBR分层结构的LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020781423.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN211670204U
授权日 ：
2020-10-13
发明人 ：
张亚
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020781423.2
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/14 H01L33/42 H01L33/44
法律状态
2020-10-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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