一种提高离子发射率的装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种提高离子发射率的装置，涉及离子发射技术领域，解决了现有技术中的离子发射端存在发射量小的技术问题。该装置，包括发射部、用于安装所述发射部的固定件以及与所述固定件连接的导线，所述发射部包括连接板以及与所述连接板上端垂直连接的支架，所述支架上设置有多个圆环，且多个圆环处于同一水平面，所述圆环内设置有多个发射头。本实用新型通过设置发射部，发射部的支架上设置有包含多个发射头的圆环，使得离子发射端的发射量大大提高，从而整体提高了离子发射装置的发射率，结构简单、加工方便、成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种提高离子发射率的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020793310.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN211829548U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
马杰锋
申请人 ：
慈溪市香格电器有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市慈溪市坎墩街道工业园区联兴路828号
代理机构 ：
北京细软智谷知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
张合成
优先权 ：
CN202020793310.4
主分类号 ：
H01T23/00
IPC分类号 ：
H01T23/00 H05H1/24
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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