一种点源坩埚
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摘要
本实用新型公开了一种点源坩埚，包括：坩埚本体、坩埚盖片、坩埚垫片、紧固结构；所述坩埚盖片盖设于所述坩埚本体的开口处上；所述坩埚盖片上还设置有第一通孔，所述坩埚垫片设置有第二通孔，且所述坩埚垫片通过紧固结构盖设于通孔上，所述坩埚垫片的第二通孔正对所述坩埚盖片的第一通孔，所述紧固结构用于防止所述坩埚垫片与坩埚盖片相对移动。发明人通过增设紧固结构的方式阻止坩埚盖片与坩埚垫片发生相对的运动，同时使坩埚盖片与坩埚垫片二者处在相对固定的位置上。解决坩埚震动导致的坩埚垫片错位，以及坩埚垫片堵孔的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种点源坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020804291.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-14
授权号 ：
CN212581997U
授权日 ：
2021-02-23
发明人 ：
黄逸臻张麒麟孙玉俊
申请人 ：
福建华佳彩有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐剑兵
优先权 ：
CN202020804291.0
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/12
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2021-02-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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