一种改善粉源温场的坩埚结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种改善粉源温场的坩埚结构，包括坩埚本体与配件，所述坩埚本体内部具有粉源，所述配件为规则形状，所述配件用于插入粉源中心处，以增大粉源升华的表面积，所述配件的上端与粉源的上端平齐。本实用新型的坩埚结构可以有效调节碳化硅粉源内部温场，提高了粉源中心温度及粉源的表面积，增大了中心气氛运输速率及整体运输速率，增加晶体生长速度；并且可减少粉料的反向升华和重结晶现象；增加了中心粉源升华速率，降低粉源边缘升华速率，增加晶体凸度，减少坩埚内壁腐蚀，有利于晶体形状的控制及晶体品质的提升。
基本信息
专利标题 ：
一种改善粉源温场的坩埚结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123375217.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216688415U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈鹏磊徐所成王亚哲姚秋鹏皮孝东
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202123375217.5
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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