大功率GaN器件散热与集成一体化结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本实用新型在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。
基本信息
专利标题 ：
大功率GaN器件散热与集成一体化结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020918472.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-26
授权号 ：
CN212848377U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
马盛林练婷婷金玉丰王玮
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
福建省厦门市思明南路422号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202020918472.6
主分类号 ：
H01L23/46
IPC分类号 ：
H01L23/46 H01L23/538 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/46
包含有用流动流体传导热的
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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