相变存储器以及电子设备
授权
摘要
本公开涉及一种相变存储器设备以及电子设备。该相变存储器设备包括：衬底；在衬底上的晶体管；在晶体管上的第一绝缘层；导电过孔，延伸穿过第一绝缘层；在第一绝缘层上的第二绝缘层；在导电过孔上的电阻元件，该电阻元件延伸穿过第二绝缘层；在电阻元件上的相变材料层；在相变材料层上的导电层；在导电层上的第三绝缘层；在第三绝缘层中的开口，该开口直接覆盖相变材料层；以及在该开口中的第四绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器以及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020921710.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN212542479U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
P·波伊文D·贝努瓦R·贝特隆
申请人 ：
意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国克洛尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202020921710.9
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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