一种高度集成化的减薄设备
授权
摘要
本公开涉及一种高度集成化的减薄设备，包括：设备前端模块，设置在所述减薄设备的前端；磨削模块，设置在所述减薄设备的末端；抛光模块，设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；所述抛光模块包括用于对化学机械抛光后的基板进行后处理的后处理单元，所述后处理单元包括沿所述减薄设备的宽度方向相邻设置的水平刷洗装置和单腔清洗装置。本公开通过将磨削、化学机械抛光和清洗干燥工艺相结合，提供了一种加工基板的最为经济有效的技术路线，结构紧凑、集成度高，可为超高密度的半导体堆叠制程提供技术保障，是半导体高密度封装发展等的重要组成。
基本信息
专利标题 ：
一种高度集成化的减薄设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021058155.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-10
授权号 ：
CN211957605U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
赵德文刘远航路新春李长坤吴云龙
申请人 ：
清华大学;华海清科股份有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021058155.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B24B27/00 B24B41/00 B24B7/22 B24B37/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
