一种高耐压光耦封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种高耐压光耦封装结构，包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和所述第二引脚左右设置位于同一水平面，所述第一引脚前端下表面设置有红外线LED，所述第一引脚前端下表面设置有用于包覆所述红外线LED且具有透光性的第一硅胶层；所述第二引脚前端下表面设置有收光芯片，所述收光芯片下表面设置有用于包覆所述收光芯片且具有透光性的第二硅胶层；所述第一硅胶层和所述第二硅胶层之间设置有ㄇ型导光柱；本实用新型结构简单，能够在二次塑封平面式光耦封装中达到作为长距离光传递的介质效果。
基本信息
专利标题 ：
一种高耐压光耦封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021117902.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-16
授权号 ：
CN212060651U
授权日 ：
2020-12-01
发明人 ：
苏炤亘翁念义邱政康袁瑞鸿万喜红李昇哲杨皓宇
申请人 ：
福建天电光电有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市安溪县湖头鎮光电产业园
代理机构 ：
福州旭辰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程春宝
优先权 ：
CN202021117902.0
主分类号 ：
G02B6/42
IPC分类号 ：
G02B6/42 H01L25/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/24
光波导的耦合
G02B6/42
光波导与光电元件的耦合
法律状态
2020-12-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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