一种900耐压SIC MOSFET的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种900耐压SIC MOSFET的封装结构，安装槽内部连接有辅助结构，安装槽的一侧侧壁上设立有锁定结构，安装结构相互远离的两侧侧壁下边沿上均固定连接有固定板，固定板上螺纹连接有固定螺丝，安装槽内可拆式连接有效应管，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过辅助结构能够对效应管进行夹持固定，使效应管能够牢固的连接在安装槽内，避免脱落，设立卡板和卡槽能够对活动柱进行限位，使夹板夹持的更加稳定，通过垫层能够避免夹板对效应管造成磨损，通过盖板能够对效应管进行挤压限位，能够在辅助结构的基础上进一步的加固效应管与安装结构连接的稳定性，设立硅胶制作的顶板能够对效应管进行挤压且不会对效应管造成磨损。
基本信息
专利标题 ：
一种900耐压SIC MOSFET的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922085827.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN211295076U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
王辉何超
申请人 ：
西安英冉半导体科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办锦业路SOHO同盟A座1005室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922085827.8
主分类号 ：
H01L23/32
IPC分类号 ：
H01L23/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/32
用于支承处于工作中的完整器件的支座，即可拆卸的夹紧装置
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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