一种用于半导体轴向高压二极管元件制备的石墨舟
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于半导体轴向高压二极管元件制备的石墨舟，包括石墨舟本体，所述石墨舟本体上设有方形孔洞，所述方形孔洞的尺寸大于晶粒，所述方形孔洞内堆叠多个晶粒。本实用新型在石墨舟上方设置方形孔洞，有效防止叠晶石墨舟内晶粒因圆形孔洞造成排列不整齐现象。当上下两颗晶粒完全对正，即能改善焊接面积不足问题，避免晶粒间锡膏分布不均，形成的倾斜角度造成的电性异常现象。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体轴向高压二极管元件制备的石墨舟
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021176837.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
CN212136409U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
徐涵李珏蒨
申请人 ：
扬州虹扬科技发展有限公司;英属开曼群岛商虹扬发展科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区槐泗镇弘扬东路
代理机构 ：
北京文苑专利代理有限公司
代理人 ：
周会
优先权 ：
CN202021176837.9
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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