一种IGBT模块的双面烧结装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种IGBT模块的双面烧结装置，包括支撑底板、旋转盘、第二旋转轴承、第一连接杆和支撑柱，所述支撑底板两侧的中间位置设置有第一滑动槽，第一滑动槽内部滑动设置有第一滑动杆，且第一滑动杆的顶端连接有放置板。本实用新型通过在第一连接杆两端的顶部皆设置有连接槽，所述第三滑动槽内部滑动设置有微型滑动杆，第三滑动槽的底端连接有烧结板，且烧结板两侧的顶端和底端皆设置有安装孔，该装置在使用的时候，利用微型滑动杆在第三滑动槽内侧滑动，从而带动烧结板左右位置的调整，同时第一连接杆一端设置的联动杆纵向插入连接槽的内部对微型滑动杆位置进行限位，增强装置对烧结板左右调整的灵活性。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT模块的双面烧结装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021425618.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-16
授权号 ：
CN212648190U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
杨种南
申请人 ：
传承电子科技（江苏）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山开发区朝阳东路99号2号房4楼
代理机构 ：
苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶晓龙
优先权 ：
CN202021425618.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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