低温多晶氧化物阵列基板

授权

摘要

本实用新型提供一种低温多晶氧化物阵列基板。本实用新型提供的低温多晶氧化物阵列基板，包括衬底基板、第一遮光层、第二遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一遮光层和第二遮光层间隔设置在衬底基板上，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿阵列基板的层叠方向分别设置在第一遮光层和第二遮光层上方；第一薄膜晶体管包括第一半导体图形、第一源极、第一漏极和第一栅极；第二薄膜晶体管包括第二半导体图形、第二源极、第二漏极和第二栅极；其中，第一半导体图形为多晶硅半导体图形，第二半导体图形为金属氧化物半导体图形。本实用新型提供的阵列基板在满足高分辨率要求的同时，可降低显示面板的功耗。

基本信息

专利标题：

低温多晶氧化物阵列基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021506936.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-27

授权号：

CN212571000U

授权日：

2021-02-19

发明人：

刘翔

申请人：

成都中电熊猫显示科技有限公司

申请人地址：

四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

朱颖

优先权：

CN202021506936.9

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L29/786 H01L21/77