金属氧化物阵列基板

授权

摘要

本实用新型提供一种金属氧化物阵列基板，包括并排设置的主像素电极和副像素电极、与主像素电极电连接的第一漏极、与副像素电极电连接的第二漏极，以及栅极扫描线；栅极扫描线位于主像素电极和副像素电极的间隙内，第一漏极位于主像素电极和栅极扫描线之间，第二漏极位于副像素电极和栅极扫描线之间，并且第一漏极与第二漏极关于第一直线对称，第一直线与栅极扫描线的中心线重合。本实用新型提供一种金属氧化物阵列基板，栅极扫描线与第一漏极、第二漏极的重叠区域的面积的总和保持不变，使得栅极‑漏极寄生电容的大小能够保持不变，避免了由于寄生电容Cgd的变化而引起的画面显示不均及闪烁问题。

基本信息

专利标题：

金属氧化物阵列基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021500812.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-27

授权号：

CN212412050U

授权日：

2021-01-26

发明人：

刘翔

申请人：

成都中电熊猫显示科技有限公司

申请人地址：

四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

张娜

优先权：

CN202021500812.X

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/77 G02F1/1368 G02F1/1362