低温多晶氧化物阵列基板

授权

摘要

本实用新型提供一种低温多晶氧化物阵列基板。本实用新型提供的阵列基板，包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管组件，薄膜晶体管组件包括第一半导体层、第一源极、第一漏极、第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极；第一半导体层、第一源极、第一漏极和公共栅极形成第一薄膜晶体管，第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极形成第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管设于第一薄膜晶体管上方，且第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在竖直方向上具有重叠区域；第一半导体层和第二半导体层中的一者为多晶硅半导体层，另一者为金属氧化物半导体层。本实用新型的阵列基板在满足高分辨率要求的同时，可增大像素开口率，降低功耗。

基本信息

专利标题：

低温多晶氧化物阵列基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021506961.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-27

授权号：

CN212517205U

授权日：

2021-02-09

发明人：

刘翔

申请人：

成都中电熊猫显示科技有限公司

申请人地址：

四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

张娜

优先权：

CN202021506961.7

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/77