一种氧化物半导体TFT阵列基板

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摘要

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物半导体TFT阵列基板，所述阵列基板包括基板和依次形成在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、氧化物半导体有源层、第二金属层、SINx绝缘层和SiOx绝缘层，所述第二金属层的顶部为钼金属层，所述SINx绝缘层位于第二金属层与SiOx绝缘层之间，且SINx绝缘层与第二金属层的图案完全重叠，所述第二金属层形成源极和漏极，所述源极和漏极之间的位置对应的氧化物半导体有源层为沟道区域。在本方案中能够避免第二金属层上的钼金属层与SiOx绝缘层之间形成氧化钼导致SiOx绝缘层的附着性降低，从而解决PV膜浮的发生的问题，进而保证产品的显示效果以及良率，保障产品的信赖性，提高产品竞争力。

基本信息

专利标题：

一种氧化物半导体TFT阵列基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920646028.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-05

授权号：

CN209747514U

授权日：

2019-12-06

发明人：

不公告发明人

申请人：

福建华佳彩有限公司

申请人地址：

福建省莆田市涵江区涵中西路1号

代理机构：

福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

林祥翔

优先权：

CN201920646028.0

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/77