一种氧化物半导体基板结构

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摘要

本实用新型公开一种氧化物半导体基板结构，其中制作方法包括如下步骤：步骤一：在基板上制作栅极；步骤二：在栅极上制作覆盖栅极的栅极绝缘层；步骤三：在栅极绝缘层上制作氧化物半导体层，导体化在栅极外侧的氧化物半导体层形成公共电极，未导体化的氧化物半导体层在栅极的上方；步骤四：沉积金属，在氧化物半导体层上形成源极和漏极，在公共电极上形成公共电极金属走线；步骤五：在源极、漏极和公共电极金属走线上制作覆盖源极、漏极和公共电极金属走线的钝化层；步骤六：在钝化层上制作像素电极，像素电极与漏极连接。此申请可以节省光罩的数量，减少制程的成本，并获得高分辨率和高稳定性的显示面板。

基本信息

专利标题：

一种氧化物半导体基板结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020209925.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-26

授权号：

CN211208447U

授权日：

2020-08-07

发明人：

李元行

申请人：

福建华佳彩有限公司

申请人地址：

福建省莆田市涵江区涵中西路1号

代理机构：

福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

林祥翔

优先权：

CN202020209925.8

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/84