一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构
授权
摘要
本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构，其特征在于：在所述真空镀膜室内设置有两个或两个以上的蒸发源，且所述蒸发源之间沿所述真空镀膜室的高度方向上下错层布置。本实用新型的优点是：可以在真空镀膜腔室的内部空间容积一定的情况下放置更多或更大的蒸发源；即，在一定大小的真空腔室内合理利用空间以实现配置更多或更大规格的蒸发源坩埚台的目的；经济性好，可有效利用既有的真空镀膜设备，无需额外配置；能够保证成膜效果。
基本信息
专利标题 ：
一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021589372.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
CN212404260U
授权日 ：
2021-01-26
发明人 ：
吴萍范滨龙汝磊戴磊
申请人 ：
光驰科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区宝山城市工业园区城银路267号
代理机构 ：
上海申蒙商标专利代理有限公司
代理人 ：
周宇凡
优先权 ：
CN202021589372.X
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/54
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2021-01-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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