一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片。所述芯片的下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗为中心，且在大于导电金属薄膜的外边缘区域内，硅腐蚀掉后留有孔洞，支撑层覆盖在孔洞的上方；导电金属薄膜置于孔洞上的支撑层上，冷冻层除接触电极区域的上方覆盖绝缘层；中心视窗上均有多个小孔。所述芯片具有微区快速冷冻，分辨率高，样品漂移率低的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021651523.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-11
授权号 ：
CN212932446U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
廖洪钢邓俊先江友红
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
福建省厦门市思明南路422号
代理机构 ：
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司
代理人 ：
秦华
优先权 ：
CN202021651523.X
主分类号 ：
G01N23/02
IPC分类号 ：
G01N23/02 G01N23/2202 G01N1/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/02
通过使辐射透过材料
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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