一种用于溅射工艺的晶圆固定结构和晶圆溅射装置
授权
摘要
本公开提供一种用于溅射工艺的晶圆固定结构和晶圆溅射装置，涉及芯片制造领域，其中晶圆固定结构包括：非金属平台，具有放置所述晶圆的工作面，所述工作面为能够与所述晶圆贴合的平面，所述工作面能够覆盖所述晶圆的非溅射面；固定件，设置于所述工作面的上方，能够压紧在所述晶圆的溅射面上，进而将所述晶圆压紧在所述工作面上。本公开能够防止溅射作业过程中电离子上下导通击穿晶圆，确保晶圆质量，提高良品率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于溅射工艺的晶圆固定结构和晶圆溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021671287.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN213327815U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
高局赵亚东钟志明陈楚杰杨小龙方梁洪
申请人 ：
宁波芯健半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202021671287.8
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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