半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件。所述半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件包括上盖;底座,所述底座设于所述上盖的下方;前连接板,所述前连接板设于所述上盖与所述底座之间;后连接板,所述后连接板设于所述上盖和所述底座之间;左连接板,所述左连接板设于所述上盖与所述底座之间;右连接板,所述右连接板设于所述上盖和所述底座之间。本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件金属钨和钼作为离子注入的溅射材料,耐高温,最高可达到2300度,增加使用寿命,提高了溅射的稳定作用。
基本信息
专利标题 :
半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922362451.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-25
授权号 :
CN211265415U
授权日 :
2020-08-14
发明人 :
陈少举
申请人 :
宝鸡市科迪普新材料有限公司
申请人地址 :
陕西省宝鸡市高新开发区马营镇永清工业园
代理机构 :
北京天盾知识产权代理有限公司
代理人 :
周敏云
优先权 :
CN201922362451.0
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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