一种用于LED晶圆制程的载盘
授权
摘要
本实用新型提供了一种用于LED晶圆制程的载盘，包括载盘；载盘上设有一晶圆放置面，晶圆放置面上设有晶圆放置槽，晶圆放置槽包括中心晶圆放置槽和若干外围晶圆放置槽；各外围晶圆放置槽以中心晶圆放置槽为中心环绕设置；各外围晶圆放置槽设置有一挡板，且挡板位于外围晶圆放置槽与载盘的平边处；本实用新型设置与载盘边缘相连的各外围晶圆放槽，增加晶圆放槽的数量，提升了产能；同时，相邻两个外围晶圆放置槽相互紧挨，且与载盘边缘形成一间隙斜面，倾斜面可改善载盘边缘区域的温场及流场，提高沉积混合气体的效率，改善外围晶圆均匀性差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于LED晶圆制程的载盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021673369.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN212426170U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
林志园洪金居陈火宾肖遥程伟
申请人 ：
厦门乾照半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021673369.6
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/24 C23C14/06 C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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