一种防护型二极管结构
授权
摘要
本实用新型涉及二极管技术领域，尤其是一种防护型二极管结构，包括壳体，壳体的内部固定连接有二极管本体，二极管本体一端固定连接有阳极引脚，二极管本体另一端固定连接有阴极引脚，壳体的两端均分别固定连接有封盖，壳体外侧壁的表面上固定套设有硅胶保护套，两个封盖的中部位置均分别贯穿地固定连接有软胶防护套，且阳极引脚的一端贯穿其中一个软胶防护套并延伸至其中一个封盖的外侧，阴极引脚的一端贯穿另一个软胶防护套并延伸至另一个封盖的外侧，壳体内壁的表面上固定连接有保护层，且保护层包覆于二极管本体的外侧。该防护型二极管结构具备很好的防护能力，能够有效地避免两个引脚的断裂。
基本信息
专利标题 ：
一种防护型二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021725181.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN212783445U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
王少伟
申请人 ：
深圳市成兴光电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华强北阶段深南中路佳和大厦A座1405-07
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021725181.1
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L23/49 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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