缺陷修复电路和存储器
授权
摘要
本申请实施例涉及一种缺陷修复电路和存储器,缺陷修复电路包括:测试模块,用于在测试模式下对存储单元阵列进行缺陷测试,以确定缺陷存储单元,并输出与存储单元相对应的测试地址信息和缺陷标识信号;缺陷信息存储模块,与测试模块连接,用于响应于缺陷标识信号,存储缺陷地址信息,缺陷地址信息为缺陷存储单元的测试地址信息,还用于响应于外部输入的修复选择信号输出第一地址信息,第一地址信息为多个缺陷地址信息中的一个;修复模块,与缺陷信息存储模块连接,用于根据接收到的第一地址信息,以对相应的缺陷存储单元进行修复。在本实施例中,缺陷修复电路新可以兼容于较小面积的芯片中,而且具有较高的便利性和可靠性。
基本信息
专利标题 :
缺陷修复电路和存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021992198.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-11
授权号 :
CN212303083U
授权日 :
2021-01-05
发明人 :
张良
申请人 :
长鑫存储技术(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元(名义楼层9层)
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
杨明莉
优先权 :
CN202021992198.3
主分类号 :
G11C29/44
IPC分类号 :
G11C29/44
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试,例如,在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置,例如,内置的自检装置
G11C29/44
错误指示或识别,例如,修复
法律状态
2021-01-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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