修复电路和存储器
实质审查的生效
摘要

本申请实施例涉及一种修复电路和存储器,修复电路包括:多个冗余存储单元,每个冗余存储单元配置有一状态信号;修复模块,分别与多个冗余存储单元连接,用于根据多个状态信号,从多个冗余存储单元中确定出目标存储单元,并通过目标存储单元对缺陷存储单元进行修复;其中,目标存储单元与缺陷存储单元一一对应,修复模块能够在多个修复阶段分别对不同的缺陷存储单元进行修复,且多个修复阶段共用多个冗余存储单元。通过响应于冗余存储单元的状态信号,选择目标存储单元,并在多个修复阶段共用冗余存储单元,提高了对缺陷存储单元的修复率和修复灵活性,即,提供了一种修复灵活性和可靠性更高的修复电路。

基本信息
专利标题 :
修复电路和存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388048A
申请号 :
CN202011124159.6
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2020-10-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张良
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
纪婷婧
优先权 :
CN202011124159.6
主分类号 :
G11C29/44
IPC分类号 :
G11C29/44  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试,例如,在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置,例如,内置的自检装置
G11C29/44
错误指示或识别,例如,修复
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/44
申请日 : 20201020
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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