修复电路和存储器
授权
摘要
本申请实施例涉及一种修复电路和存储器，修复电路包括：多个冗余存储单元，每个冗余存储单元配置有一状态信号；修复模块，分别与多个冗余存储单元连接，用于根据多个状态信号，从多个冗余存储单元中确定出目标存储单元，并通过目标存储单元对缺陷存储单元进行修复；其中，目标存储单元与缺陷存储单元一一对应，修复模块能够在多个修复阶段分别对不同的缺陷存储单元进行修复，且多个修复阶段共用多个冗余存储单元。通过响应于冗余存储单元的状态信号，选择目标存储单元，并在多个修复阶段共用冗余存储单元，提高了对缺陷存储单元的修复率和修复灵活性，即，提供了一种修复灵活性和可靠性更高的修复电路。
基本信息
专利标题 ：
修复电路和存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022350793.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
CN212516572U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
张良
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
纪婷婧
优先权 ：
CN202022350793.3
主分类号 ：
G11C29/44
IPC分类号 ：
G11C29/44
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
G11C29/44
错误指示或识别，例如，修复
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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