修复电路和存储器
授权
摘要

本实用新型公开了一种修复电路和存储器,涉及半导体存储器技术领域。修复电路配置于包括正常存储区域和冗余存储区域的存储器中,冗余存储区域包括与正常存储区域紧邻的目标修复单元,修复电路用于控制目标修复单元对正常存储区域中异常存储单元进行修复,该修复电路包括:第一控制电路,用于接收行地址中由低到高目标数量位的信号,对目标数量位的信号进行处理,得到控制结果并输出;其中,目标数量与目标修复单元中字线数量相关联;修复确定模块,与第一控制电路的输出端连接,用于接收控制结果,并结合控制结果输出是否执行修复操作的修复信号。本公开可以提高存储器的冗余存储区域的利用率。

基本信息
专利标题 :
修复电路和存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020202874.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-02-24
授权号 :
CN210925503U
授权日 :
2020-07-03
发明人 :
张良
申请人 :
长鑫存储技术(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元(名义楼层9层)
代理机构 :
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 :
王辉
优先权 :
CN202020202874.6
主分类号 :
G11C29/44
IPC分类号 :
G11C29/44  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试,例如,在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置,例如,内置的自检装置
G11C29/44
错误指示或识别,例如,修复
法律状态
2020-07-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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