一种并联MOSFET功率板的散热结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种并联MOSFET功率板的散热结构，包括功率板组件和散热组件，所述的功率板组件由功率板本体、隔温板、避让孔和导温螺栓组成，所述的散热组件由导联块、传导片和半导体制冷片组成，该一种并联MOSFET功率板的散热结构，首先通过半导体制冷片设计，能够实现对MOSFET功率板内部的吸热降温，提高了散热性，极大避免了传统结构的MOSFET功率板在长期运行后容易产生的过热问题，其次由导温螺栓、导联块和传导片结构相互配合的作用，不仅能够直接对MOSFET功率板前后两端进行吸热，进一步增强了散热功能，此外也能对导温螺栓进行限位，使其达到很好的安装牢固性目的，最终确保了并联MOSFET功率板的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种并联MOSFET功率板的散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022104098.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
CN212783433U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
程晓华刘红张晓阳王林
申请人 ：
合肥龙控智能科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区柏堰科技园樱花路8号
代理机构 ：
合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋萍
优先权 ：
CN202022104098.9
主分类号 ：
H01L23/38
IPC分类号 ：
H01L23/38 H01L23/40 H01L23/367 H01L23/467
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/38
应用Peltier效应的冷却装置
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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