一种用于测试硅微透镜芯片耦合效率的装置
授权
摘要
本实用新型揭示了一种用于测试硅微透镜芯片耦合效率的装置，包括光学测试平台及安装于光学测试平台上的第一底座和第二底座，所述第一底座上固定夹持有光纤，所述第二底座上固定安装有硅微透镜芯片，所述硅微透镜芯片的下方还设置有用于向光纤提供激光的激光器，且所述激光器与源表系统电连接；所述用于测试硅微透镜芯片耦合效率的装置还包括用于获取激光器发射的激光通过硅微透镜芯片进入光纤功率大小的功率计，且所述功率计与所述光纤电连接。本实用新型提供的用于测试硅微透镜芯片耦合效率的装置，可以快速测试硅微透镜芯片耦合效率，检测硅微透镜耦合性能。
基本信息
专利标题 ：
一种用于测试硅微透镜芯片耦合效率的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022161639.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-27
授权号 ：
CN212748264U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
丁凯黄寓洋
申请人 ：
苏州苏纳光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202022161639.1
主分类号 ：
G01M11/02
IPC分类号 ：
G01M11/02 G02B6/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01M
机器或结构部件的静或动平衡的测试；其他类目中不包括的结构部件或设备的测试
G01M11/02
•光学性质测试
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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