一种异形PBN和石英组合坩埚
授权
摘要
本实用新型涉及半导体材料生产技术领域，公开了一种异形PBN和石英组合坩埚，包括石英坩埚、PBN坩埚和石英帽，所述石英坩埚包括包覆腔和石英坩埚籽晶腔，所述PBN坩埚包括原料腔和PBN坩埚籽晶腔，所述PBN坩埚和石英帽均设置于石英坩埚的内腔中，所述石英帽设置在靠近石英坩埚的开口一端，且所述石英帽的开口朝向PBN坩埚；所述石英坩埚籽晶腔包括第一籽晶腔段和第二籽晶腔段，所述第二籽晶腔段与PBN坩埚籽晶腔的外壁紧密贴合，所述石英坩埚的第一籽晶腔段和包覆腔与PBN坩埚之间设置有间隔区。本实用新型能够使得半导体材料获得平坦的生长界面且有效改善晶体热应力集中现象，获得大尺寸、低位错密度高、均匀性好的晶体。
基本信息
专利标题 ：
一种异形PBN和石英组合坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022183332.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN213708546U
授权日 ：
2021-07-16
发明人 ：
罗福敏胡昌勇
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园B02
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202022183332.1
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B15/12 C30B29/42 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2021-07-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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