发光二极管结构及电子设备
授权
摘要
本申请实施例提供一种发光二极管结构及电子设备，包括：层叠设置的第一类型半导体层、多量子阱有源层、电子阻挡层、第二类型半导体层，以及与第一类型半导体层电连接的第一类型电极和与第二类型半导体层电连接的第二类型电极，其中，第一类型半导体层及第二类型半导体层一者为包括氢化非晶氮化硅的P型半导体层，另一者为N型半导体层。本申请采用P型氢化非晶氧化硅半导体层替代传统的P型氮化镓铝层，由于p型氢化非晶氧化硅材料不存在极化效应，且具有较低的势垒，因此更容易实现高空穴掺杂浓度，进而能够有效提高紫外发光二极管器件的空穴注入效率和发光效率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管结构及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022231867.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
CN214956922U
授权日 ：
2021-11-30
发明人 ：
毛德丰聂泳忠
申请人 ：
西人马联合测控（泉州）科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市洛江区双阳街道新南社区
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
娜拉
优先权 ：
CN202022231867.1
主分类号 ：
H01L33/26
IPC分类号 ：
H01L33/26 H01L33/00
法律状态
2021-11-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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