一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备。该外延结构包括自下至上依次生长的衬底、第一AlN层、多周期复合式调控层、n型AlxGa1‑xN接触层、多量子阱发光层、p型AlyGa1‑yN阻挡层和p型GaN层，所述多周期复合式调控层包括多个自下至上依次生长的周期结构，每个所述周期结构均包括自下至上依次生长的第二AlN层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层，其中，所述n型AlxGa1‑xN接触层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层中的Al组分不同。本发明通过在第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间生长多周期复合式调控层，减少第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间的晶格失配，调控紫外发光二极管外延片的翘曲，过滤第一AlN层向上延伸的位错，减小n型AlxGa1‑xN接触层的压应力，改善晶体质量，提升器件的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420809A
申请号 ：
CN202210172823.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王程刚
申请人 ：
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
代理机构 ：
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴丽伟
优先权 ：
CN202210172823.7
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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