高密度集成双频TR组件
授权
摘要
本实用新型公开了一种高密度集成双频TR组件，包括壳体，所述壳体内双频高密度一体化集成有W频段TR组件和Ku频段TR组件；所述W频段TR组件为高密度的SIP集成式组件，包括W频段SIP模块和W频段供电和控制板，所述W频段SIP模块内集成有W频段芯片，所述W频段芯片通过金丝键合与W频段供电和控制板连接；所述Ku频段TR组件为混合集成式组件，包括底层的Ku频段芯片和顶层的Ku频段供电和控制板，所述Ku频段芯片通过射频微带线与Ku频段供电和控制板连接，所述Ku频段供电和控制板通过金丝键合与W频段供电和控制板。本实用新型的高密度集成双频TR组件，具有集成度高、系统体积小、可共用口径的优点。
基本信息
专利标题 ：
高密度集成双频TR组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022450685.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN213126011U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
袁野袁向秋郑建华辛敏振
申请人 ：
成都锐芯盛通电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）科新路6号1栋1层
代理机构 ：
成都环泰专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李斌
优先权 ：
CN202022450685.3
主分类号 ：
H04B1/00
IPC分类号 ：
H04B1/00
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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