具有互连的高密度ReRAM集成
公开
摘要
一种交叉式ReRAM包括基板、在基板的上表面上彼此平行地延伸的多个第一列，其中多个第一列中的每一个包括由多个层组成的电阻式随机存取存储器(ReRAM)堆叠。多个第二列彼此平行地延伸，并且多个第二列垂直于多个第一列地延伸，其中多个第二列位于多个第一列之上，以使得多个第二列跨越多个第一列。介电层填充在多个第一列与多个第二列之间的空间中，其中，介电层与ReRAM堆叠的多个层中的每个层的侧壁直接接触。
基本信息
专利标题 ：
具有互连的高密度ReRAM集成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613804A
申请号 ：
CN202111429450.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安藤崇志A·雷茨尼采克P·哈希米谢瑞龙
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
刘薇
优先权 ：
CN202111429450.9
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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