一种半导体硅单晶炉隔离阀室的阀盖装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体硅单晶炉隔离阀室的阀盖装置，包括阀盖板，阀盖板上设置有摆臂，摆臂的一端通过销轴与阀盖板中心位置固定，摆臂的另一端与阀板轴连接，阀盖板上还设置有进水金属波纹软管和出水金属波纹软管，进水金属波纹软管和和出水金属波纹软管通过水槽与所述阀板轴上的水槽相通，阀板轴与阀盖座通过过盈配合安装在一起。本实用新型解决了现有技术中存在的半导体单晶炉阀盖由于高温易变形进而影响主炉室和副炉室的隔离效果的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体硅单晶炉隔离阀室的阀盖装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022461195.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213804061U
授权日 ：
2021-07-27
发明人 ：
刘丁弋英民张晶张新雨黄伟超
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
韩玙
优先权 ：
CN202022461195.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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