一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构，包括热屏，热屏上活动设置有炉盖，热屏与炉盖之间设置有热屏提升机构，热屏提升机构具体结构为：包括一对平行竖直设置的提升杆，提升杆的下端安装有扇形的旋片挂钩，热屏杆的上端连接有旋转拧手，提升杆的上下运动是通过提升电机带动丝杠的旋转，从而驱动与提升杆上部连接的热屏运动支座实现提升和下降的动作，热屏运动支座通过下方安装的波纹管与热屏连接底座法兰连接为一个整体，整个热屏提升机构就是通过热屏连接底座法兰安装固定在炉盖的对应窗口位置。本实用新型解决了现有技术中存在的高温对热屏提升杆的影响以及热屏提升杆对温度梯度影响的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体级单晶生长设备的可分离式热屏提升机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022467092.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213804062U
授权日 ：
2021-07-27
发明人 ：
刘丁弋英民张晶张新雨黄伟超
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
韩玙
优先权 ：
CN202022467092.8
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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