连续型锭生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及连续型锭生长装置,更具体地,涉及可通过感应加热方式来使固态硅材料熔融并向主坩埚进行供给的连续型锭生长装置。为此,本实用新型一实施方式的连续型锭生长装置可包括:生长炉,在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚;材料供给部,用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料;以及预备熔融部,包括预备坩埚、加热空间以及预备坩埚加热模块,上述预备坩埚用于使从上述材料供给部供给的上述固态硅材料熔融,能够在上述加热空间对上述预备坩埚进行加热,上述预备坩埚加热模块通过感应加热方式来对上述预备坩埚进行加热,可直接从上述预备坩埚向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅。
基本信息
专利标题 :
连续型锭生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022884115.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-12-03
授权号 :
CN216237373U
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
裵东佑李京锡李泳敏
申请人 :
韩华思路信
申请人地址 :
韩国首尔
代理机构 :
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 :
陈万青
优先权 :
CN202022884115.5
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B15/02 C30B15/12 C30B15/14 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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