硅锭连续生长器的吸排气装置
公开
摘要
本发明公开硅锭连续生长器的吸排气装置。本发明的硅锭连续生长器的吸排气装置可包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；以及真空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持真空气氛的方式提供真空压力，可在上述腔室的第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进行排气的第一排气口，可在上述腔室的第二区域设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进行排气的第二排气口。
基本信息
专利标题 ：
硅锭连续生长器的吸排气装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293244A
申请号 ：
CN202011404191.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李泳敏李京锡全韩雄
申请人 ：
韩华思路信
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈万青
优先权 ：
CN202011404191.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
